SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
♠ ការពិពណ៌នាផលិតផល
គុណលក្ខណៈផលិតផល | តម្លៃគុណលក្ខណៈ |
ក្រុមហ៊ុនផលិត៖ | វិស្យា |
ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
RoHS៖ | ព័ត៌មានលម្អិត |
បច្ចេកវិទ្យា៖ | Si |
រចនាប័ទ្មម៉ោន៖ | SMD/SMT |
កញ្ចប់/ករណី៖ | SOIC-8 |
បន្ទាត់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | P-Channel |
ចំនួនប៉ុស្តិ៍៖ | 1 ឆានែល |
Vds - វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ៖ | ៣០ វ |
លេខសម្គាល់ - ចរន្តបង្ហូរបន្ត៖ | ៥.៧ ក |
Rds បើក - ធន់ទ្រាំនឹងប្រភព៖ | 42 mOhm |
Vgs - វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ៖ | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage៖ | 1 វ |
Qg - ថ្លៃច្រកទ្វារ៖ | 24 nC |
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអប្បបរមា៖ | - 55 គ |
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា៖ | + ១៥០ គ |
Pd - ការបំភាយថាមពល៖ | 2.5 វ៉ |
របៀបឆានែល៖ | ការលើកកម្ពស់ |
ឈ្មោះពាណិជ្ជកម្ម៖ | TrenchFET |
ការវេចខ្ចប់៖ | វិល |
ការវេចខ្ចប់៖ | កាត់កាសែត |
ការវេចខ្ចប់៖ | MouseReel |
ម៉ាក៖ | Vishay Semiconductors |
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: | នៅលីវ |
រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ៖ | ៣០ ន |
ការបញ្ជូនបន្ត - អប្បបរមា៖ | ១៣ ស |
ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
ពេលវេលាកើនឡើង៖ | ៤២ ន |
ស៊េរី៖ | SI9 |
បរិមាណកញ្ចប់រោងចក្រ៖ | ២៥០០ |
ប្រភេទរង៖ | MOSFETs |
ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | 1 P-Channel |
ពេលវេលាពន្យាពេលបិទធម្មតា៖ | ៣០ ន |
ពេលវេលាពន្យាពេលបើកធម្មតា៖ | ១៤ ន |
ផ្នែក # ឈ្មោះក្លែងក្លាយ៖ | SI9435BDY-E3 |
ទម្ងន់ឯកតា៖ | 750 មីលីក្រាម |
• Halogen-free យោងតាមនិយមន័យ IEC 61249-2-21
• TrenchFET® Power MOSFET
• អនុលោមតាម RoHS Directive 2002/95/EC