FDV301N MOSFET N-Ch ឌីជីថល
♠ ការពិពណ៌នាផលិតផល
| គុណលក្ខណៈផលិតផល | តម្លៃគុណលក្ខណៈ |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត៖ | onsemi |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| RoHS៖ | ព័ត៌មានលម្អិត |
| បច្ចេកវិទ្យា៖ | Si |
| រចនាប័ទ្មម៉ោន៖ | SMD/SMT |
| កញ្ចប់ / ករណី៖ | SOT-23-3 |
| បន្ទាត់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | N-Channel |
| ចំនួនប៉ុស្តិ៍៖ | 1 ឆានែល |
| Vds - វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ៖ | ២៥ វ |
| លេខសម្គាល់ - ចរន្តបង្ហូរបន្ត៖ | 220 mA |
| Rds បើក - ធន់ទ្រាំនឹងប្រភព៖ | 5 Ohms |
| Vgs - វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ៖ | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage៖ | 700 mV |
| Qg - ថ្លៃច្រកទ្វារ៖ | 700 ភី |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអប្បបរមា៖ | - 55 គ |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា៖ | + ១៥០ គ |
| Pd - ការបំភាយថាមពល៖ | 350 mW |
| របៀបឆានែល៖ | ការលើកកម្ពស់ |
| ការវេចខ្ចប់៖ | វិល |
| ការវេចខ្ចប់៖ | កាត់កាសែត |
| ការវេចខ្ចប់៖ | MouseReel |
| ម៉ាក៖ | onsemi / Fairchild |
| ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: | នៅលីវ |
| រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ៖ | ៦ ន |
| ការបញ្ជូនបន្ត - អប្បបរមា៖ | 0.2 ស |
| កម្ពស់៖ | 1.2 ម។ |
| ប្រវែង៖ | 2.9 ម។ |
| ផលិតផល៖ | MOSFET សញ្ញាតូច |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| ពេលវេលាកើនឡើង៖ | ៦ ន |
| ស៊េរី៖ | FDV301N |
| បរិមាណកញ្ចប់រោងចក្រ៖ | ៣០០០ |
| ប្រភេទរង៖ | MOSFETs |
| ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | 1 N-Channel |
| ប្រភេទ៖ | FET |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបិទធម្មតា៖ | ៣.៥ ន |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបើកធម្មតា៖ | ៣.២ ន |
| ទទឹង៖ | 1.3 ម។ |
| ផ្នែក # ឈ្មោះក្លែងក្លាយ៖ | FDV301N_NL |
| ទម្ងន់ឯកតា៖ | 0.000282 អោនស៍ |
♠ ឌីជីថល FET, N-Channel FDV301N, FDV301N-F169
ត្រង់ស៊ីស្ទ័របែបផែនវាលនៃមុខងារបង្កើនកម្រិតតក្កវិជ្ជា N-Channel នេះត្រូវបានផលិតដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យា DMOS ដែលមានកម្មសិទ្ធិរបស់ onsemi ។ដំណើរការដង់ស៊ីតេខ្ពស់នេះត្រូវបានកែសម្រួលជាពិសេសដើម្បីកាត់បន្ថយភាពធន់នឹងរដ្ឋ។ឧបករណ៍នេះត្រូវបានរចនាឡើងជាពិសេសសម្រាប់កម្មវិធីតង់ស្យុងទាបជាការជំនួសត្រង់ស៊ីស្ទ័រឌីជីថល។ដោយហេតុថា អាំងតង់ស៊ីតេលំអៀងមិនត្រូវបានទាមទារនោះ N-channel FET មួយនេះអាចជំនួសត្រង់ស៊ីស្ទ័រឌីជីថលផ្សេងគ្នាជាច្រើន ដោយមានតម្លៃទប់ទល់លំអៀងខុសៗគ្នា។
• 25 V, 0.22 A បន្ត, 0.5 A កំពូល
♦ RDS (បើក) = 5 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS (បើក) = 4 @ VGS = 4.5 V
• តំរូវការ Drive Gate កម្រិតទាបខ្លាំង ដែលអនុញ្ញាតឱ្យដំណើរការដោយផ្ទាល់នៅក្នុងសៀគ្វី 3 V ។VGS(th) < 1.06 V
• Gate-Source Zener សម្រាប់ ESD Ruggedness។> 6 kV គំរូរាងកាយមនុស្ស
• ជំនួសត្រង់ស៊ីស្ទ័រឌីជីថល NPN ច្រើនដោយប្រើ DMOS FET មួយ។
• ឧបករណ៍នេះគឺ Pb-Free និង Halide Free
