ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល
ស្លាកផលិតផល
| គុណលក្ខណៈផលិតផល | តម្លៃគុណលក្ខណៈ |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត៖ | onsemi |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| RoHS៖ | ព័ត៌មានលម្អិត |
| បច្ចេកវិទ្យា៖ | Si |
| រចនាប័ទ្មម៉ោន៖ | SMD/SMT |
| កញ្ចប់ / ករណី៖ | DPAK-3 |
| បន្ទាត់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | N-Channel |
| ចំនួនប៉ុស្តិ៍៖ | 1 ឆានែល |
| Vds - វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ៖ | ៦០០ វី |
| លេខសម្គាល់ - ចរន្តបង្ហូរបន្ត៖ | 1.7 ក |
| Rds បើក - ធន់ទ្រាំនឹងប្រភព៖ | 1.9 Ohms |
| Vgs - វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ៖ | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage៖ | ៥ វ |
| Qg - ថ្លៃច្រកទ្វារ៖ | 8.3 nC |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអប្បបរមា៖ | - 55 គ |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា៖ | + ១៥០ គ |
| Pd - ការបំភាយថាមពល៖ | 114 វ |
| របៀបឆានែល៖ | ការលើកកម្ពស់ |
| ឈ្មោះពាណិជ្ជកម្ម៖ | UniFET |
| ការវេចខ្ចប់៖ | វិល |
| ការវេចខ្ចប់៖ | កាត់កាសែត |
| ការវេចខ្ចប់៖ | MouseReel |
| ម៉ាក៖ | onsemi / Fairchild |
| ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: | នៅលីវ |
| រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ៖ | 12.8 ន |
| ការបញ្ជូនបន្ត - អប្បបរមា៖ | ៣.៤ ស |
| កម្ពស់៖ | 2.39 ម។ |
| ប្រវែង៖ | 6.73 ម។ |
| ផលិតផល៖ | MOSFET |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| ពេលវេលាកើនឡើង៖ | ១៥.១ ន |
| ស៊េរី៖ | FDD4N60NZ |
| បរិមាណកញ្ចប់រោងចក្រ៖ | ២៥០០ |
| ប្រភេទរង៖ | MOSFETs |
| ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | 1 N-Channel |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបិទធម្មតា៖ | ៣០.២ ន |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបើកធម្មតា៖ | 12.7 ន |
| ទទឹង៖ | 6.22 ម។ |
| ទម្ងន់ឯកតា៖ | 0.011640 អោនស៍ |
មុន៖ NCP431BVSNT1G វ៉ុលយោង ANA 2.5V PROG SHUNT REF បន្ទាប់៖ NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
