SUM55P06-19L-E3 MOSFET 60V 55A 125W
♠ ការពិពណ៌នាផលិតផល
| គុណលក្ខណៈផលិតផល | តម្លៃគុណលក្ខណៈ |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត៖ | វិស្យា |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| RoHS៖ | ព័ត៌មានលម្អិត |
| បច្ចេកវិទ្យា៖ | Si |
| រចនាប័ទ្មម៉ោន៖ | SMD/SMT |
| កញ្ចប់ / ករណី៖ | TO-263-3 |
| បន្ទាត់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | P-Channel |
| ចំនួនប៉ុស្តិ៍៖ | 1 ឆានែល |
| Vds - វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ៖ | 60 វ |
| លេខសម្គាល់ - ចរន្តបង្ហូរបន្ត៖ | 55 ក |
| Rds បើក - ធន់ទ្រាំនឹងប្រភព៖ | 19 mOhms |
| Vgs - វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ៖ | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage៖ | 1 វ |
| Qg - ថ្លៃច្រកទ្វារ៖ | 76 nC |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអប្បបរមា៖ | - 55 គ |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា៖ | + 175 គ |
| Pd - ការបំភាយថាមពល៖ | 125 វ |
| របៀបឆានែល៖ | ការលើកកម្ពស់ |
| ឈ្មោះពាណិជ្ជកម្ម៖ | TrenchFET |
| ការវេចខ្ចប់៖ | វិល |
| ការវេចខ្ចប់៖ | កាត់កាសែត |
| ការវេចខ្ចប់៖ | MouseReel |
| ម៉ាក៖ | Vishay / Siliconix |
| ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: | នៅលីវ |
| រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ៖ | 230 ទំ |
| ការបញ្ជូនបន្ត - អប្បបរមា៖ | ២០ ស |
| កម្ពស់៖ | 4.83 ម។ |
| ប្រវែង៖ | 10.67 ម។ |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| ពេលវេលាកើនឡើង៖ | ១៥ ន |
| ស៊េរី៖ | ផលបូក |
| បរិមាណកញ្ចប់រោងចក្រ៖ | ៨០០ |
| ប្រភេទរង៖ | MOSFETs |
| ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | 1 P-Channel |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបិទធម្មតា៖ | 80 ន |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបើកធម្មតា៖ | 12 ន |
| ទទឹង៖ | 9.65 ម។ |
| ទម្ងន់ឯកតា៖ | 0.139332 អោនស៍ |
• TrenchFET® Power MOSFET
