IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

HEXFETs ជំនាន់ទីប្រាំពីឧបករណ៍កែតម្រូវអន្តរជាតិប្រើប្រាស់កម្រិតខ្ពស់បច្ចេកទេសកែច្នៃ ដើម្បីសម្រេចបាននូវកម្រិតធន់ទ្រាំនឹងកម្រិតទាបបំផុត។តំបន់ស៊ីលីកុន។ អត្ថប្រយោជន៍នេះរួមផ្សំជាមួយនឹងល្បឿនប្តូរលឿននិងការរចនាឧបករណ៍រឹងមាំដែល HEXFET Power MOSFETs គឺល្បីសម្រាប់ ផ្តល់ឱ្យអ្នករចនានូវឧបករណ៍ដែលមានប្រសិទ្ធភាពបំផុត។សម្រាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងកម្មវិធីផ្សេងៗ។

D-PAK ត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ការម៉ោនលើផ្ទៃដោយប្រើដំណាក់កាលចំហាយ,អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ឬ បច្ចេកទេស soldering រលក។ កំណែនាំមុខត្រង់(ស៊េរី IRFU) គឺសម្រាប់កម្មវិធីដំឡើងតាមរន្ធ។ ថាមពលកម្រិតនៃការរលាយរហូតដល់ 1.5 វ៉ាត់គឺអាចធ្វើទៅបាននៅលើផ្ទៃធម្មតា។កម្មវិធីម៉ោន។