BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ ការពិពណ៌នាផលិតផល
| គុណលក្ខណៈផលិតផល | តម្លៃគុណលក្ខណៈ |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត៖ | Nexperia |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| RoHS៖ | ព័ត៌មានលម្អិត |
| បច្ចេកវិទ្យា៖ | Si |
| រចនាប័ទ្មម៉ោន៖ | SMD/SMT |
| កញ្ចប់ / ករណី៖ | LFPAK-56D-8 |
| បន្ទាត់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | N-Channel |
| ចំនួនប៉ុស្តិ៍៖ | 2 ឆានែល |
| Vds - វ៉ុលបំបែកប្រភពបង្ហូរ៖ | 60 វ |
| លេខសម្គាល់ - ចរន្តបង្ហូរបន្ត៖ | ២២ ក |
| Rds បើក - ធន់ទ្រាំនឹងប្រភព៖ | 32 mOhms |
| Vgs - វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារ៖ | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage៖ | 1.4 វី |
| Qg - ថ្លៃច្រកទ្វារ៖ | 7.8 nC |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអប្បបរមា៖ | - 55 គ |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា៖ | + 175 គ |
| Pd - ការបំភាយថាមពល៖ | ៣៨ វ |
| របៀបឆានែល៖ | ការលើកកម្ពស់ |
| គុណវុឌ្ឍិ៖ | AEC-Q101 |
| ការវេចខ្ចប់៖ | វិល |
| ការវេចខ្ចប់៖ | កាត់កាសែត |
| ការវេចខ្ចប់៖ | MouseReel |
| ម៉ាក៖ | Nexperia |
| ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ: | ទ្វេ |
| រដូវស្លឹកឈើជ្រុះ៖ | ១០.៦ ន |
| ប្រភេទផលិតផល: | MOSFET |
| ពេលវេលាកើនឡើង៖ | ១១.៣ ន |
| បរិមាណកញ្ចប់រោងចក្រ៖ | ១៥០០ |
| ប្រភេទរង៖ | MOSFETs |
| ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ៖ | 2 N-Channel |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបិទធម្មតា៖ | ១៤.៩ ន |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបើកធម្មតា៖ | ៧.១ ន |
| ផ្នែក # ឈ្មោះក្លែងក្លាយ៖ | ៩៣៤០៦៦៩៧៧១១៥ |
| ទម្ងន់ឯកតា៖ | 0.003958 អោនស៍ |
♠ BUK9K35-60E Dual N-channel 60 V, 35 mΩ កម្រិតតក្កវិជ្ជា MOSFET
កម្រិតតក្កវិជ្ជាពីរ N-channel MOSFET នៅក្នុងកញ្ចប់ LFPAK56D (Dual Power-SO8) ដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យា TrenchMOS ។ផលិតផលនេះត្រូវបានរចនាឡើង និងមានលក្ខណៈគ្រប់គ្រាន់តាមស្តង់ដារ AEC Q101 សម្រាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងកម្មវិធីរថយន្តដែលមានដំណើរការខ្ពស់។
• MOSFET ពីរ
• អនុលោមតាម Q101
• វាយតម្លៃការធ្លាក់ផ្ទាំងទឹកកកដដែលៗ
• ស័ក្តិសមសម្រាប់បរិស្ថានដែលត្រូវការកំដៅដោយសារការវាយតម្លៃ 175 °C
• ច្រកទ្វារកម្រិតតក្កវិជ្ជាពិតប្រាកដជាមួយការវាយតម្លៃ VGS(th) ធំជាង 0.5 V នៅសីតុណ្ហភាព 175 °C
• ប្រព័ន្ធរថយន្ត 12 V
• ម៉ូទ័រ ចង្កៀង និងការគ្រប់គ្រង solenoid
• ការត្រួតពិនិត្យការបញ្ជូន
• ការប្តូរថាមពលដែលដំណើរការខ្លាំងបំផុត។
